简单说下mosfet三极管有什么区别?

mosfet三极管区别是：三极管是电流控制型器件，mosfet是电压控制型器件，两者都可应用在模拟电路和数字电路中，mosfet可以做到高耐压，高反压和大电流，三极管是一般比较困难的。

mosfet三极管区别是：三极管是电流控制型器件，mosfet是电压控制型器件，两者都可应用在模拟电路和数字电路中，mosfet可以做到高耐压，高反压和大电流，三极管是一般比较困难的。

mosfet全称为金属-氧化物-半导体fet,而fet是场效应管(field effect transistor)的意思,即mosfet为金属-氧化物-半导体场效应管. 而晶体三极管包括双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET),所以mosfet是属于晶体管的,而且仅仅是很小的一个分类,但是非常常用,

MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。 三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。 场效应管与三级管的比较： 1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件； 2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件 3）场效应管灵活性比三级管好； 4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。 MOSFET和双极型三极管相类似，电极对应关系是b?G、eS、c?D；由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流)，而FET放大电路的场效应管栅极没有电流，所以，FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于：场效应管是电压控制型器件，靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来体现；三极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来体现。 场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时，可与双极型三极管的共射、共集、共基对照。