请问三极管做电源开关怎么用?

1)当输入电压vI为高电平时，晶体管导通，相当于开关闭合，所以集电极电压vc≈0，即输出低电平，而集电极电流iC≈VCC/RC。
2)当输入电压vI为低电平时，由图可见，晶体管截止，相当于开关断开，所以得集电极电流iC≈0，而集电极电压vc≈VCC，即输出为高电平。

你好，要使三极管工作于开关的断开状态，就应该使之工作于截止区，发射极电流iE=0，这时晶体三极管处于截止状态，相当于开关断开。集电结加有反向电压，集电极电流iC=ICBO，而基极电流iB=-ICBO。说明三极管截止时，iB并不是为0，而等于-ICBO。基极开路时，外加电源电压VCC使集电结反向偏置，发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时，晶体管并未进入截止状态，这时iE=iC  =ICEO还是较大的。晶体管进入截止状态，晶体管基极与发射极之间加反向电压，这时只存在集电极反向饱和电流ICBO，iB  =-ICBO，iE=0，为临界截止状态。进一步加大基极电压的绝对值，当大于VBO时，发射结处于反向偏置而截止，流过发射结的电流为反向饱和电流IEBO，这时晶体管进入截止状态iB  =  -(ICBO+  IEBO)，iC=  ICBO。发射结外加正向电压不断升高，集电极电流不断增加。同时基极电流也增加，随着基极电流iB  的增加基极电位vB升高，而随着集电极电流iC的增加，集电极电位vC却下降。当基极电流iB增大到一定值时，将出现vBE  =vCE的情况。这时集电结为零偏，晶体管出现临界饱和。如果进一步增大iB  ，iB增大，使得集电结由零偏变为正向偏置，集电结位垒降低，集电区电子也将注入基区，从而使集电极电流iC随基极电流iB的增大而增大的速度减小。这时在基区存储大量多余电子-空穴对，当iB继续增大时，iC基本维持不变，即iB失去对iC的控制作用，或者说这时晶体管的放大能力大大减弱了。这时称晶体管工作于饱和状态。一般地说，在饱和状态时饱和压降VBE(sat)近似等于0.7V，VCE(sat)近似等于0.3V。集电极电流iC的增加受外电路的限制。由电路可得出iC的最大值为ICM=  VCC/  RC。晶体管进入饱和状态，基极电流增大，集电极电流变化很小，即iC=ICS=(VCC-VBE(sat))/RC晶体管处于临界饱和时的基极电流为IBS=ICS/β=(VCC-VBE(sat))/βRC
希望以上能够帮到你啊

三极管的两个主要作用是：放大和倒相。如要把三极管做成开关，需要三极管工作在击穿状态，与外接电路配合才能实现。开关电源的输出电压要随电压和负荷的变化而自动调整，所以用三极管控制。  说明一下：开关管通常是用三极管，开关管是按用途称谓的。有的电路中也有用二极管的。