晶体三极管的工作原理是怎样的?

半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管[font    color=#000000]是电路中[/font]应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。

常见的晶体三极管有硅三极管和锗三极管两种，每种材料的三极管中又有NPN型和PNP型两种结构形式。但是它们的工作原理却是完全相同的。下面以PNP型三极管为例说明。
发射结施加正向电压，而集电结施加反向电压。由于发射结上加有正向电压，发射结的阻挡层变薄，发射区内的多数载流子空穴通过发射结向基区运动，形成发射极电流J。(当然发射极电流中也包括基区内的多数载流子电子通过发射结向发射区运动的电流，但由于基区很薄，这部分电流远小于发射极注入到基区的空穴流，可以忽略不计)。发射极电流的大小与发射结上施加的正向电压有关。它们之间的关系和二极管正向特性相似。发射极注入到基区内的空穴成为基区中的少数载流子，大量的电子堆积在基区内靠近发射结一边，而靠近集电结的基区一边的空穴被集电结施加的反向电压吸引到集电区，于是基区内形成了由发射结向集电结的空穴梯度，就产生了空穴在基区的扩散运动--由发射结向集电结的扩散。在扩散运动过程中，空穴也会有一部分与基区内的电子复合，这就形成了基极电流j。

1、发射区向基区发射电子    电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
 2、基区中电子的扩散与复合    电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力