碳纳米晶体管工作原理是什么?

晶体管工作原理是什么?
利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看
下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。
　　源极和漏极之间是沟道(Channel)，当没有对栅极(G)施加电压的时候，沟道中不会聚集有效的电荷，源极(S)和漏极(S)之间不会有有效电流产生，晶体管处于关闭状态。可以把这种关闭的状态解释为“0”。
晶体管的工作原理
晶体管的工作原理
　　当对栅极(G)施加电压的时候，沟道中会聚集有效的电荷，形成一条从源极(S)到漏极(D)导通的通道，晶体管处于开启状态，可以把这种状态解释为“1”。这样二进制的两个状态就由晶体管的开启和关闭状态表示出来了。

碳纳米晶体管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB,Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。

碳纳米管具有一些独特的电学性质,  在纳米电子学有很好的应用前景。随着纳米技术的发展,  新的工艺技术也随之产生。纳米器件的“由下至上”制作工艺,  是在纳米技术和纳米材料的基础之上发展起来的,  在新工艺基础之上,  可以利用纳米管、纳米线的性质制作成各种新的电子器件。由于碳纳米管可以和硅在电子电路中扮演同样的角色,  随着基于碳纳米管的纳米电路研究的深入发展,  电子学将在真正意义上从微电子时代进入纳电子时代。从分析碳纳米管分立场效应晶体管典型结构特点入手,  分析阐述了碳纳米管构建的典型纳米逻辑电路结构特征及碳纳米管在柔性纳米集成电路方面的应用

你好，，碳纳米管的属性可以分为金属型和半导体型两种。再将碳纳米管用做晶体管过程中，科学家们遇到的难题是人工制造的碳纳米晶体管是两种属性的混合体。这两种属性晶体管相互粘连呈线状或束状，这样就使碳纳米管用途大打折扣，因为只有半导体属性的碳纳米管才可以作为晶体管，而且当碳纳米晶体管两种属性粘连在一起时，金属性比半导体性还强。逐个处理碳纳米管的工作是缓慢而且繁琐的，但又没有实际的方法将金属型和半导体分开，这便成为将碳纳米管用作晶体管的最大障碍。希望我的回答对你有所帮助

碳纳米晶体管由碳纳米管（Carbon  Nanotube）作为沟道导电材料制作而成的晶体管（Transistor）。
工作原理：碳纳米晶体管阵列所利用的碳纳米晶体管是有碳原子排列而成的微小圆柱体，比现在的硅晶体管小100倍，而且不用对他们逐个处理，即不用从大量的纳米光中去费力的寻找有用的电子属性个体。研究表明，碳纳米晶体管性能上可以和硅一争高低，而且碳纳米晶体管可以制造的更小。在未来，硅芯片已经不能被制造得更小，因而必须寻找新的的制造计算机芯片的材料，碳纳米晶体管将是很好的选择。

碳纳米晶体管阵列所利用的碳纳米晶体管是有碳原子排列而成的微小圆柱体，比现在的硅晶体管小100倍，而且不用对他们逐个处理，即不用从大量的纳米光中去费力的寻找有用的电子属性个体。研究表明，碳纳米晶体管性能上可以和硅一争高低，而且碳纳米晶体管可以制造的更小。在未来，硅芯片已经不能别制造的更小，因而必须寻找新的的制造计算机芯片的材料，碳纳米晶体管将是很好的选择。根据大小形状的不同，碳纳米晶体管的属性可以分为金属型和半导体型两种。再将碳纳米管用做晶体管过程中，科学家们遇到的难题是人工制造的碳纳米晶体管是两种属性的混合体。这两种属性晶体管相互粘连呈线状或束状，这样就使碳纳米管用途大打折扣，因为只有半导体属性的碳纳米管才可以作为晶体管，而且当碳纳米晶体管两种属性粘连在一起时，金属性比半导体性还强。逐个处理碳纳米管的工作是缓慢而且繁琐的，但又没有实际的方法将金属型和半导体分开，这便成为将碳纳米管用作晶体管的最大障碍