我想问问场效应管和三极管的区别有哪些?

场效应管是场效应晶体管（Field    Effect    Transistor,FET）的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
你好，据我了解，场效应管和三极管的区别：
普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的。
希望我的回答可以帮助到你，望采纳！

1）、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。  这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。  
2）、在放大状态工作时，三极管发射结正偏，有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。    
3）、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。  
4）、在低电压小电流状态下工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。  
5）、MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。三极管的增益高，非线性失真小，性能稳定。在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。  
6）、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化，场效应管的转移特性按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。  
7）、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路，由于场效应管的栅极无电流，所以输入电阻R'i≈∞。跨导gm比三极管的小一个数量级，gm我们可以用转移特性求导得到

1.分别怎么标注·能看出来·或者在CPU啊某个地方常见·          给CPU供电的是场管,边上还有些小的一点点的是三极管.场管都是成组的,只有内存那边有时是单个的    。      
2.分别怎么测量·          看引脚,正三角排列,上E,左下B,右下C    。      
3.作用分别是什么·          场管分电压和电流转换,是功率转换型的.三极管主要还是放大电流和电压,有时可以当开关。      
4.形状是否又区别·          越大功率越大,小型的只是传输信号的。
5.在内存旁控制内存电压的是个三极管吧·是场管,一般是3.3V或5V过来,直接转成内存需要电压的。