非制冷红外探测器原理是什么?

热探测器的工作机理是基于入射辐射的热效应引起探测器某一电特性的变化,而光子探测器是基于入射光子流与探测材料相互作用产生的光电效应,具体表现为探测器响应元自由载流子(即电子和/或空穴)数目的变化.由于这种变化是由入射光子数的变化引起的,光子探测器的响应正比于吸收的光子数.而热探测器的响应正比与所吸收的能量.
热探测器的换能过程包括:热阻效应,热伏效应,热气动效应和热释电效应.光子探测器的换能过程包括:光生伏特效应,光电导效应,光电磁效应和光发射效应.

热探测器的工作机理是基于入射辐射的热效应引起探测器某一电特性的变化,而光子探测器是基于入射光子流与探测材料相互作用产生的光电效应,具体表现为探测器响应元自由载流子(即电子和/或空穴)数目的变化.由于这种变化是由入射光子数的变化引起的,光子探测器的响应正比于吸收的光子数.而热探测器的响应正比与所吸收的能量.

热探测器的工作机理是基于入射辐射的热效应引起探测器某一电特性的变化,而光子探测器是基于入射光子流与探测材料相互作用产生的光电效应,具体表现为探测器响应元自由载流子(即电子和/或空穴)数目的变化.由于这种变化是由入射光子数的变化引起的,光子探测器的响应正比于吸收的光子数.而热探测器的响应正比与所吸收的能量。

非制冷红外焦平面探测器由许多MEMS微桥结构的像元在焦平面上二维重复排列构成，每个像元对特定入射角的热辐射进行测量，其基本原理；
a):红外辐射被像元中的红外吸收层吸收后引起温度变化，进而使非晶硅热敏电阻的阻值变化；b):非晶硅热敏电阻通过MEMS绝热微桥支撑在硅衬底上方，并通过支撑结构与制作在硅衬底上的COMS独处电路相连；c):CMOS电路将热敏电阻阻值变化转变为差分电流并进行积分放大，经采样后得到红外热图像中单个像元的灰度值。

年来非制冷红外成像技术得到了飞速发展和广泛应用，军用和商用的双重使用概念将促使其向成本降低和面向实用的方向发展，非制冷红外焦平面包括两个核心部件红外探测器及其读出电路，它的性能将会随着新型探测器和信号处理新技术的出现而提高。本文从红外焦平面的发展背景出发，介绍了一种新颖的SOI非制冷红外探测器及其读出电路。首先，说明了绝缘体上硅(SOI)制作非制冷探测器的优势，然后通过模拟仿真得出二极管的最佳理论参数，并且开发出一整套工艺流程制作了供测试的红外探测器。在理论基础上本论文还设计出多种参数的二极管，拟通过实验测试得出