ttl与cmos的区别是什么?

(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V  CMOS电平Vcc可达到12V    CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为  0.1Vcc。    CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。  TTL电路不使用的输入端悬空为高电平    另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。  用TTL电平他们就可以兼容  (二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。    因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。    5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。  (三)TTL电平标准    输出  L：  2.4V。  输入  L：  2.0V    TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。  CMOS电平：    输出  L：  0.9*Vcc。  输入  L：  0.7*Vcc.    一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连.  一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的）。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行

TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。  
速度  
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响  TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越  好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

TTL:Transistor-Transistor  Logic,即BJT-BJT逻辑门电路
CMOS:就是用场效应管来做电路啊。
现在用的多的是CMOS，功耗低。TTL主要是速度快吧